[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置100包括：栅电极126，配置于沟槽122内，并且，在侧壁的部分经由栅极绝缘膜124与p型基极区域116相对；屏蔽电极130，配置于沟槽122内，并且，位于栅电极126与沟槽122的槽底之间；沟槽22内的电气绝缘区域128，在栅电极126与屏蔽电极130之间扩展，并且进一步地沿沟槽122的侧壁以及槽底扩展后将屏蔽电极130从侧壁以及槽底处隔开；以及源电极134，将n+型源极区域118与屏蔽电极130电气连接，其中，屏蔽电极130具有：高电阻区域130a，被设置在与沟槽122的侧壁对向的位置上；以及低电阻区域130，被设置在被高电阻区域130a夹住的位置上。能够抑制振铃以及浪涌电压、抑制错误运行以及防止开关损耗增大。

主权项

一种半导体装置，包括：半导体基体，含有：第一导电型漏极区域、与所述漏极区域相邻接的第一导电型漂移区域、与所述漂移区域相邻接的第二导电型基极区域、以及与所述基极区域相邻接的第一导电型源极区域；沟槽，形成于所述半导体基体内，具有与所述漂移区域相邻接的槽底、以及与所述基极区域和所述漂移区域相邻接的侧壁，并且从平面上看被形成为条纹状；栅电极，配置于所述沟槽内，并且，在所述侧壁的部分经由栅极绝缘膜与所述基极区域相对；屏蔽电极，配置于所述沟槽内，并且，位于所述栅电极与所述沟槽的所述槽底之间；所述沟槽内的电气绝缘区域，在所述栅电极与所述屏蔽电极之间扩展，并且进一步地沿所述沟槽的所述侧壁以及所述槽底扩展后将所述屏蔽电极从所述侧壁以及所述槽底处隔开；源电极，形成于所述半导体基体的上方，并且将所述源极区域与所述屏蔽电极电气连接；以及漏电极，与所述漏极区域相邻接后形成，其特征在于：其中，所述屏蔽电极具有：高电阻区域，被设置在与所述侧壁对向的位置上；以及低电阻区域，被设置在被所述高电阻区域夹住的位置上。