[发明专利]化学‑机械抛光组合物的制造方法在审
申请号: | 201580045214.3 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN106575614A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | S.格拉宾;J.戴萨德;沈忠良;M.卡瓦诺;D.克林格曼 | 申请(专利权)人: | 嘉柏微电子材料股份公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 宋莉,邢岳 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 化学机械抛光组合物的制造方法,该方法包括在包含氨基硅烷化合物的液体中生长胶态氧化硅研磨剂颗粒,使得所述氨基硅烷化合物变得结合到所述研磨剂颗粒中。可将包含这样的胶态氧化硅研磨剂颗粒的分散体进一步处理,从而得到包含具有结合到其中的氨基硅烷化合物的胶态氧化硅颗粒的化学机械抛光组合物。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 组合 制造 方法 | ||
【主权项】:
化学机械抛光组合物的制造方法,该方法包括:(a)提供液体溶液;(b)对所述液体溶液、产生氧化硅的化合物、以及氨基硅烷化合物进行组合,由此导致胶态氧化硅颗粒的生长,从而得到包含具有结合到其中的氨基硅烷化合物的胶态氧化硅颗粒的分散体;以及(c)处理所述分散体以得到包含具有结合到其中的氨基硅烷化合物的胶态氧化硅颗粒的化学机械抛光组合物,所述处理包括调节该分散体的pH值至在约1.5至约7范围内的值并且稀释该分散体,使得所述胶态氧化硅颗粒占所述抛光组合物的不到20重量%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造