[发明专利]胶态氧化硅化学-机械抛光浓缩物有效
| 申请号： | 201580045215.8 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN107112224B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | S.格拉宾;J.戴萨德;沈忠良;M.卡瓦诺 | 申请（专利权）人： | 嘉柏微电子材料股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邢岳 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 化学机械抛光浓缩物，包含分散在液体载剂中的至少10重量％的胶态氧化硅研磨剂颗粒，所述化学机械抛光浓缩物具有在约1.5至约7范围内的pH值。所述胶态氧化硅研磨剂包含结合到其中的氨基硅烷化合物或鏻硅烷化合物。在使用前，相对于一份所述浓缩物，可使用至少3份水对所述浓缩物进行稀释。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 化学 机械抛光 浓缩物 | ||
【主权项】：
化学机械抛光浓缩物，包含：基于水的液体载剂；分散在该液体载剂中的至少10重量％的胶态氧化硅研磨剂颗粒；氨基硅烷化合物或鏻硅烷化合物，其结合到所述胶态氧化硅研磨剂颗粒的外表面的内部；以及在约1.5至约7范围内的pH值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
