[发明专利]元件制造方法及转印基板有效
| 申请号： | 201580045821.X | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106605294B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 奈良圭;中积诚;西康孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 能减轻电子元件制造业者的负担，且制造高精度电子元件。将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于转印基板即第1基板上后，将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)上的元件制造方法，具备：第1步骤，藉由于第1基板(P1)上形成第1导电层(52a)，于第1导电层(52a)上形成功能层(52b)，于功能层(52b)上形成第2导电层(52c)，以形成积层构造体(52)；以及第2步骤，以第2导电层(52c)位于第2基板(P2)侧的方式使第1基板(P1)与第2基板(P2)暂时紧贴，以将积层构造体(52)转印至第2基板(P2)。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 制造 方法 转印基板 | ||
【主权项】：
1.一种元件制造方法，将构成电子元件的至少一部分积层构造体形成于第1基板上后，将前述积层构造体转印至第2基板上，其特征在于，具备：/n第1步骤，藉由于前述第1基板上形成导电性材料所形成的第1导电层，于前述第1导电层上形成绝缘性及半导体的至少一材料所形成的功能层，于前述功能层上形成导电性材料所形成的第2导电层，以形成前述积层构造体；以及/n第2步骤，以前述第2导电层位于前述第2基板侧的方式使前述第1基板与前述第2基板暂时接近或紧贴，以将前述积层构造体转印至前述第2基板，/n于前述第1步骤与前述第2步骤之间或前述第2步骤之后，具备对前述第2导电层或前述第1导电层施以利用光图案化法的加工处理以形成用以检测前述第2基板位置的对准标记的第3步骤。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
