[发明专利]磁阻元件和磁存储器有效
| 申请号： | 201580045843.6 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN107078210B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 长谷直基;落合隆夫;大坊忠臣;加藤侑志;大岭俊平;伊藤顺一 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能降低漏磁场的磁阻效应元件和使用其的磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1磁性层、第2磁性层以及设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的第1非磁性层，所述第2磁性层具备包含选自由Mn、Fe、Co和Ni组成的第1组的至少一种元素、选自由Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au组成的第2组的至少一种元素、以及选自由Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的第3组的至少一种元素的磁性体。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
磁阻元件，其具备第1磁性层、第2磁性层以及设于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的第1非磁性层，所述第2磁性层具备包含选自由Mn、Fe、Co和Ni组成的第1组的至少一种元素、选自由Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au组成的第2组的至少一种元素、以及选自由Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的第3组的至少一种元素的磁性体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580045843.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
