[发明专利]用于EPI腔室的上圆顶有效
| 申请号： | 201580045879.4 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN106796867B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘树坤;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔;常安忠 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的实施方式关于圆顶组件。圆顶组件包括上圆顶与上周边凸缘，所述上圆顶包含凸形弧中央窗，所述上周边凸缘在所述中央窗的周缘处啮合所述中央窗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 epi 圆顶 | ||
【主权项】：
一种上圆顶，包括：凸形中央窗部分，所述凸形中央窗部分具有：宽度；高度；和窗口曲率，所述窗口曲率由至少10:1的所述宽度与所述高度的所述比例所界定；和周边凸缘，所述周边凸缘具有：平坦上表面；平坦下表面；和倾斜凸缘表面，所述周边凸缘在所述中央窗部分的周缘处啮合所述中央窗部分，所述倾斜凸缘表面具有第一表面，所述第一表面带有从所述平坦上表面测量的小于35度的第一角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
