[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

摘要

本发明的目的在于，在半导体器件的制造方法中，能够在对铝浆料进行烧成来形成电极时，防止电极与硅层或基材的电极区域的电气接触恶化这样的问题，并且使钝化层的贯通孔的最小直径变小由此防止钝化层能担负的功能的损失。此外，本发明的目的在于，提供这样做而得到的半导体器件。制造半导体器件的本发明的方法包括在具有钝化层（18）的硅层或基材（15）上形成通过钝化层的贯通孔与硅层或基材的电极区域（15a）电气接触的电极（12）。在此，在该方法中，通过贯通孔在电极区域涂敷铝浆料，然后对铝浆料进行烧成，由此，形成电极。此外，在该方法中，贯通孔的最小直径为50μm以下，并且电极区域的表面掺杂剂浓度为7×1018原子/cm3以上，或者电极区域的薄层电阻值为70Ω以下。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括在具有钝化层的硅层或基材上形成通过所述钝化层的贯通孔与所述硅层或基材的电极区域电气接触的电极，其中，通过所述贯通孔在所述电极区域涂敷铝浆料，然后对所述铝浆料进行烧成，由此，形成所述电极，所述贯通孔的最小直径为50μm以下，并且所述电极区域的表面掺杂剂浓度为7×1018原子/cm3以上，或者所述电极区域的薄层电阻值为70Ω以下。