[发明专利]非易失性半导体存储器有效
| 申请号： | 201580046308.2 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106663465B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 野口纮希;高谷聪;藤田忍 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C13/00;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的非易失性半导体存储器具备：基板区域(Sub(m‑1))；基板区域(Sub(m‑1))内的单元部件(CU‑L)，包括存储器单元(MC)以及存取晶体管(AT)，该存取晶体管(AT)将控制端子与字线(WL(i‑1))连接，并将基板区域(Sub(m‑1))作为沟道而对存储器单元(MC)供给读出电流或者写入电流；以及基板电位设定电路，在对存储器单元(MC)供给读出电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为第1基板电位，在对存储器单元(MC)供给写入电流时，将基板区域(Sub(m‑1))设定为与第1基板电位不同的第2基板电位。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于，具备：半导体基板；所述半导体基板内的第1基板区域；所述第1基板区域内的第1单元部件，包括第1存储器单元以及第1晶体管，该第1晶体管将控制端子与第1字线连接，并将所述第1基板区域作为沟道而对所述第1存储器单元供给读出电流或者写入电流；以及基板电位设定电路，在对所述第1存储器单元供给所述读出电流时，将所述第1基板区域设定为第1基板电位，在对所述第1存储器单元供给所述写入电流时，将所述第1基板区域设定为与所述第1基板电位不同的第2基板电位，所述第1基板区域是P型，所述第1晶体管是N沟道型FET，所述第1基板电位以及第2基板电位是正电位，所述第2基板电位的绝对值大于所述第1基板电位的绝对值。
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