[发明专利]硅晶圆的研磨方法有效
| 申请号： | 201580046707.9 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN107155368B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 小佐佐和明;杉森胜久;小渊俊也 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;B24B37/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具备：第一研磨工序，一边将粗研磨用研磨液(224)供给至粗研磨用研磨布(223)的研磨面，一边对晶圆(W)的表面进行研磨；保护膜形成工序，紧接着所述第一研磨工序，对所述第一研磨工序结束后的所述粗研磨用研磨布(223)供给含有水溶性高分子的保护膜形成溶液(225)，使所述晶圆(W)的被研磨面接触所述保护膜形成溶液(225)，而在所述被研磨面形成保护膜(W1)；以及第二研磨工序，一边将精研磨用研磨液供给至不同于所述粗研磨用研磨布(223)的精研磨用研磨布的研磨面，一边对所述晶圆(W)的保护膜的形成面进行研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种硅晶圆的研磨方法，其特征在于，具备：第一研磨工序，一边对研磨布供给不含水溶性高分子且含有磨粒的碱性水溶液作为主剂的研磨液，一边对硅晶圆的单侧表面进行研磨；保护膜形成工序，紧接着所述第一研磨工序，对所述第一研磨工序结束后的研磨布供给含有水溶性高分子的保护膜形成溶液，使所述硅晶圆的经所述第一研磨工序研磨的被研磨面接触所述保护膜形成溶液，而在所述被研磨面形成保护膜；以及第二研磨工序，一边将含有水溶性高分子且含有磨粒的碱性水溶液作为主剂的研磨液供给至不同于所述第一研磨工序中所使用的研磨布的研磨布，一边对所述硅晶圆的在所述保护膜形成工序中形成的保护膜的形成面进行研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
