[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201580047034.9 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106605295A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 齐藤贵翁;金子诚二;神崎庸辅;高丸泰;井手启介;松尾拓哉 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,杨艺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 阵列基板(半导体装置)(11b)包括氧化物半导体膜(31)，其由氧化物半导体材料构成，并且以如下形式配置作为其一部分的电容配线(22)为与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)相比电阻低的低电阻部且作为低电阻部的电容配线(22)与作为其它部分的各沟道部(17d、26d)分离；第1层间绝缘膜(第1绝缘膜)(33)，其配置在氧化物半导体膜(31)的上层侧并且在与作为低电阻部的电容配线(22)重叠的位置形成有开口部(33a)；和第2层间绝缘膜(第2绝缘膜)(34)，其配置在第1层间绝缘膜(33)的上层侧并且含有氢。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：氧化物半导体膜，其由氧化物半导体材料构成，并且以其一部分为与其它部分相比电阻低的低电阻部且所述低电阻部与所述其它部分分离的形式配置；第1绝缘膜，其配置在所述氧化物半导体膜的上层侧并且在与所述低电阻部重叠的位置形成有开口部；和第2绝缘膜，其配置在所述第1绝缘膜的上层侧并且含有氢。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
