[发明专利]用于三维NAND硬膜应用的纳米结晶金刚石碳膜有效
| 申请号： | 201580047628.X | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106796883B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈咏梅;克里斯托弗·S·恩盖;刘菁菁;薛君;殷正操;卢多维克·戈代 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/311;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了在形成半导体器件中使用的纳米结晶金刚石层以及用于形成所述纳米结晶金刚石层的方法。所述器件可包括：基板，所述基板具有处理表面与支撑表面；器件层，所述器件层形成于所述处理表面上；以及纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层形成于所述处理层上，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸。所述方法可包括：将基板定位于处理腔室中，于处理表面上沉积器件层；于所述器件层上沉积纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸；图案化及蚀刻所述纳米结晶金刚石层；蚀刻所述器件层以形成特征；以及从所述器件层的表面灰化所述纳米结晶金刚石层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 nand 应用 纳米 结晶 金刚石 | ||
【主权项】：
一种器件，所述器件包括：基板，所述基板具处理表面与支撑表面；器件层，所述器件层形成于所述处理表面上；以及纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层形成在所述器件层上，所述纳米结晶金刚石层具有介于2nm至5nm之间的平均晶粒尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
