[发明专利]碳化硅外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201580047725.9 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN106605302B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 姜石民 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方案提供：用于制备碳化硅外延晶片的方法，所述方法包括以下步骤：准备晶片，向所述晶片施加反应气体，加热所述反应气体以产生中间化合物，以及利用产生的中间化合物在所述晶片上形成碳化硅外延层，其中所述反应气体包含多种烃类化合物；以及碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包括由反应气体形成的碳化硅外延层，所述反应气体包含多种烃类化合物，其中在晶片上所述碳化硅外延层的C/Si值是均匀的，并因此可提高晶片上碳化硅外延层的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅外延晶片，包括由反应气体形成的碳化硅外延层，所述反应气体包含多种烃类化合物，其中所述碳化硅外延层的C/Si值在整个所述晶片中是均匀的。
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