[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的交流发电机和电力转换装置在审
| 申请号： | 201580047798.8 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106605299A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 石丸哲也;森睦宏;栗田信一;菅山茂;坂野顺一;恩田航平 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;B60R16/03;H01L25/11;H02M7/21 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 范胜杰,曹鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备第1外部电极，其具有圆形的外周部；MOSFET芯片；控制电路芯片，其输入MOSFET的漏极和源极的电压，将基于该电压控制MOSFET的信号向栅极供给；第2外部电极，其相对于MOSFET芯片配置于第1外部电极的相反侧，在第1外部电极的圆形的外周部的中心轴上具有外部端子；绝缘基板，其使控制电路芯片和外部电极绝缘，第1外部电极、MOSFET芯片的漏极和源极和第2外部电极以在中心轴方向上重叠的方式配置，MOSFET芯片的漏极与第1外部电极连接，MOSFET芯片的源极与第2外部电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 使用 交流 发电机 电力 转换 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具备：第1外部电极，其在一个面具有圆形的外周部；MOSFET芯片，其具有漏极、源极以及栅极；控制电路芯片，其输入所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极的电压或者电流，将基于该电压或者电流控制所述MOSFET芯片的信号向所述MOSFET芯片的所述栅极供给；第2外部电极，其相对于所述MOSFET芯片配置于所述第1外部电极的相反侧，在所述第1外部电极的圆形的外周部的中心轴上具有外部端子；以及绝缘基板，其使所述控制电路芯片与所述第1外部电极或所述第2外部电极电绝缘，所述第1外部电极、所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极以及所述第2外部电极以在所述中心轴方向上重叠的方式配置，所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的一方与所述第1外部电极电连接，所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的另一方与所述第2外部电极电连接。
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