[发明专利]读出非易失性存储元件中的多个参考电平有效
| 申请号： | 201580047840.6 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106688043B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | X.姜;C.肖;S.L.陈 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/26;G11C16/28;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此公开了用于在不改变所选择的字线上的电压的情况下读出非易失性存储元件中的多个参考电平的技术。一个方面包括：基于读出晶体管是否响应于读出节点上的读出电压而导通，确定所选择的非易失性存储元件相对于第一参考电平的第一条件。然后，在确定了相对于所述第一参考电平的所述第一条件之后，修改所述读出晶体管的所述源极端子上的电压。接着，基于所述读出晶体管是否响应于所述读出节点上的所述读出电压而导通来确定所述所选择的非易失性存储元件相对于第二参考电平的第二条件。这允许有效地读出两个不同的参考电平。由于所述读出晶体管相对于所述读出节点的低电容，节约了动态功率。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 非易失性 存储 元件 中的 参考 电平 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储设备的方法，所述方法包括：在连接至具有源极端子的感测晶体管上的感测节点上产生感测电压，所述感测节点与所选择的非易失性存储元件相关联(1502)；判定所述感测晶体管是否响应于所述感测节点上的所述感测电压而导通(1504)；基于所述感测晶体管是否响应于所述感测节点上的所述感测电压而导通，确定所述所选择的非易失性存储元件相对于第一参考电平的第一条件(1506)；在确定了相对于所述第一参考电平的所述第一条件之后，修改所述感测晶体管的所述源极端子上的电压(1508)；在修改了所述感测晶体管的所述源极端子上的所述电压之后，判定所述感测晶体管是否响应于所述感测节点上的所述感测电压而导通(1510)；以及基于在修改了所述感测晶体管的所述源极端子上的所述电压之后所述感测晶体管是否响应于所述感测节点上的所述感测电压而导通，确定所述所选择的非易失性存储元件相对于第二参考电平的第二条件(1512)。
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