[发明专利]基于单元电压分布单独测量存储器磨损和数据保持在审
| 申请号： | 201580047851.4 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106688044A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | N.R.达拉赫;L.M.帕克;S.A.戈罗别茨 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/34;G11C29/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得克*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器系统或闪存卡可以包括用于存储器单元测量和分析的机制，所述机制独立测量/预测存储器磨损/耐久性、数据保持(DR)、和/或剩余裕量。可以通过分析所述单元的单独电压电平的状态分布来对这些效果进行独立量化。具体地，可对所述存储器单元的单元电压分布的直方图进行分析以便标识针对某些效果(例如，磨损、DR、裕量等)的签名。这些测量可以用于块循环、数据丢失预测、或对存储器参数的调整。在基于所述测量的适当时间下的预防性动作可以引起改进的存储器管理和数据管理。这个动作可以包括：计算存储在存储器中的数据的剩余使用寿命、循环块、预测数据丢失、存储器参数的权衡或动态调整。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单元 电压 分布 单独 测量 存储器 磨损 数据 保持 | ||
【主权项】：
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