[发明专利]背面入射型固体摄像装置有效
| 申请号： | 201580048212.X | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107078136B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 高木慎一郎;前田坚太郎;米田康人;铃木久则;村松雅治 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/148;H04N5/369;H04N5/372 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的背面入射型固体摄像装置(SI)包括半导体基板(1)、移位寄存器(19)、及遮光膜(57)。半导体基板(1)在背面侧具有光入射面，并且具有根据光入射而产生电荷的受光部(13)。移位寄存器(19)设置于半导体基板(1)的与光入射面相反侧的光检测面(7)侧。遮光膜(57)设置于半导体基板(1)的光检测面(7)侧。遮光膜(57)具有与光检测面(7)相对的凹凸面(57a)。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 入射 固体 摄像 装置 | ||
【主权项】：
一种背面入射型固体摄像装置，其特征在于，包括：半导体基板，其在背面侧具有光入射面，并且具有根据光入射而产生电荷的受光部；电荷传输部，其设置于所述半导体基板的与所述光入射面相反侧的光检测面侧；及遮光膜，其设置于所述半导体基板的所述光检测面侧，所述遮光膜具有与所述光检测面相对的凹凸面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
