[发明专利]晶体管器件和方法有效
| 申请号： | 201580048309.0 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106688101B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | A·斯库德里 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/417;H01L29/78;H03K17/16;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开包括晶体管器件和方法。在一个实施例中，晶体管包括栅极、源极和漏极。根据本公开的一个方面，使用不同的栅极至漏极电容补偿漏极中不同电阻性路径。根据本公开的另一方面，电流在中心分接点处进入漏极并且在两个相邻栅极之下对称地向外流动至两个相邻源极。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：晶体管，包括源极、栅极和漏极；其中所述漏极包括长度和宽度，其中所述源极包括在所述漏极的第一侧上平行于所述漏极的长度而设置的第一源极叉指、以及在所述漏极的第二侧上平行于所述漏极的长度而设置的第二源极叉指，以及其中所述栅极包括在所述漏极的第一侧与所述第一源极叉指之间平行于所述漏极的长度而设置的第一栅极叉指、以及在所述漏极的第二侧与所述第二源极叉指之间平行于所述漏极的长度而设置的第二栅极叉指；导电材料，设置在所述晶体管的所述栅极的至少一部分和所述漏极上方并且仅在所述漏极的长度的中点处与所述漏极电接触；以及非导电材料，在所述导电材料与所述晶体管的栅极和漏极之间；其中所述漏极包括连至所述源极的不同电阻性路径，其中所述导电材料沿着平行于所述栅极的长度的所述漏极的长度而逐级缩减，其中所述逐级缩减在所述漏极的长度的中点处较宽并且朝向所述漏极的端点缩窄，以及其中所述导电材料被配置成在所述栅极和所述漏极之间产生电容，所述电容沿着所述电阻性路径与电阻相反地改变。
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