[发明专利]衬底结构、其形成方法以及使用其制造氮化物半导体的方法有效

专利信息
申请号: 201580048455.3 申请日: 2015-06-19
公开(公告)号: CN106688112B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 裵德圭;文泳棓;朴容助 申请(专利权)人: 海瑟解决方案股份有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/32;H01L21/20
代理公司: 北京市中伦律师事务所 11410 代理人: 唐雯
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种衬底结构、一种形成衬底结构的方法、使用衬底结构的半导体层叠结构、一种形成半导体层叠结构的方法、以及使用其制造氮化物半导体的方法,所述衬底结构不仅能够在氮化物半导体层生长期间减少作用在氮化物半导体上的应力,还能够形成高质量氮化物半导体层,并且促进了氮化物半导体层与衬底的分离。根据本公开所述的衬底结构包括:与氮化物半导体异质的单晶衬底;和无机薄膜,所述无机薄膜包括腿部,所述腿部构造用于接触衬底以在腿部和衬底之间限定集成空腔,以及从腿部平行于衬底延伸的上表面部,所述无机薄膜以与所述衬底相同的晶体结构结晶。
搜索关键词: 衬底 结构 形成 方法 以及 使用 制造 氮化物 半导体
【主权项】:
1.一种衬底结构,其包括:与氮化物半导体异质的单晶衬底;和结晶化无机薄膜,所述结晶化无机薄膜具有:多个腿部,所述多个腿部构造用于接触所述衬底且在所述多个腿部和所述衬底之间限定集成空腔;以及从所述多个腿部平行于所述衬底延伸的上表面,所述结晶化无机薄膜具有与所述衬底相同的晶体结构,其中,所述多个腿部中的每一个具有中空管状。
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