[发明专利]密封膜的形成方法和密封膜

摘要

本发明提供能够稳定地形成具有高阻隔性的密封膜的密封膜形成方法。具体地说，本发明涉及在基材(2)上进行缓冲层(M1)和密度高于缓冲层(M1)的阻隔层(M2)的交替成膜而形成密封膜的密封膜的形成方法，该方法具有下述工序：在基材(2)的表面形成第1缓冲层(M1a)的第1缓冲层成膜工序；在第1缓冲层(M1)的表面形成阻隔层(M2)的第1阻隔层成膜工序；以及在第1阻隔层形成工序中形成的阻隔层(M2)的表面形成第2缓冲层(M1b)的第2缓冲层成膜工序，与第2缓冲层(M1b)中的在与基材(2)的厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在该厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，第1缓冲层(M1a)中的在与上述厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1。

主权项

1.一种密封膜的形成方法，其是在基材上进行缓冲层和密度高于该缓冲层的阻隔层的交替成膜而形成密封膜的密封膜形成方法，该方法的特征在于，其具有下述工序：第1缓冲层成膜工序，在基材的表面形成上述缓冲层，第1阻隔层成膜工序，在第1缓冲层的表面形成上述阻隔层，该第1缓冲层是在上述第1缓冲层形成工序中形成的上述缓冲层，以及第2缓冲层成膜工序，在第1阻隔层的表面形成上述缓冲层，该第1阻隔层是在上述第1阻隔层形成工序中形成的上述阻隔层，与第2缓冲层中的在与基材厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在该厚度方向成膜的部分的膜厚的比例相比，上述第1缓冲层中的在与上述厚度方向倾斜的方向成膜的部分的膜厚相对于在上述厚度方向成膜的部分的膜厚的比例更接近于1，该第2缓冲层是在上述第2缓冲层形成工序中形成的上述缓冲层。