[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201580048790.3 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106688065B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 三野修嗣 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/24;C22C28/00;C22C33/02;H01F1/057;H01F1/08;C22C38/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括在R－T－B系烧结磁体的表面存在RLM合金(RL是Nd和/或Pr，M是选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素)的粉末和RH化合物(RH是Dy和/或Tb，RH化合物是选自RH氟化物、RH氧化物、RH氧氟化物中的1种或2种以上)的粉末的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序。RLM合金包含65原子％以上的RL，且上述RLM合金的熔点在上述热处理的温度以下。热处理在RLM合金的粉末和RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R－T－B系烧结磁体的工序；在所述R－T－B系烧结磁体的表面涂布至少1颗粒层以上的RLM合金粉末颗粒层，接着涂布RH化合物粉末颗粒层的工序；和在所述R－T－B系烧结磁体的表面，从磁体侧依次存在至少1颗粒层以上的RLM合金粉末颗粒层和RH化合物粉末颗粒层的状态下，在R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序；其中，RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素，RH为Dy和/或Tb，RH化合物为选自RH氟化物、RH氧化物、RH氧氟化物中的1种或2种以上，所述RLM合金包含50原子％以上的RL，且所述RLM合金的熔点在所述热处理的温度以下，所述热处理在所述RLM合金的粉末与所述RH化合物的粉末以RLM合金：RH化合物＝9.6：0.4～5：5的质量比率存在于所述R－T－B系烧结磁体的表面的状态下进行。
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