[发明专利]半导体单晶的再熔融方法

摘要

本发明提供一种半导体单晶提拉装置，其具备：对收容熔融液的坩埚进行加热保温的加热器、及一边从所述熔融液提拉一边培育半导体单晶的绳线，所述半导体单晶提拉装置的特征在于，单晶提拉装置具备：再熔融检出装置，其在用绳线使半导体单晶的下端部浸没在熔融液中并再熔融时，根据半导体单晶的重量变化，来检出半导体单晶的下端部的再熔融已经完成；以及，最下端检出装置，其通过在坩埚与绳线之间施加电压，来一边在半导体单晶与熔融液之间施加电压一边用绳线卷绕提起半导体单晶时，根据半导体单晶与熔融液之间变得无电流流动的位置，来检出半导体单晶的最下端。由此，在半导体单晶的再熔融中，为了判断浸没的结晶的熔融的完成，不需要通过目视来确认，能够进行有效的再熔融。

主权项

1.一种半导体单晶的再熔融方法，其是使用具备：对收容熔融液的坩埚进行加热保温的加热器、及一边从所述熔融液提拉一边培育半导体单晶的绳线的单晶提拉装置，使半导体单晶的下端部浸没在熔融液中并使其再熔融的方法，所述单晶提拉装置具备：再熔融检出装置，其在用所述绳线使所述半导体单晶的下端部浸没在所述熔融液中并再熔融时，根据所述半导体单晶的重量变化，来检出所述半导体单晶的下端部的再熔融已经完成；最下端检出装置，其通过在所述坩埚与所述绳线之间施加电压，来一边在所述半导体单晶与所述熔融液之间施加电压，一边用所述绳线卷绕提起所述半导体单晶时，根据所述半导体单晶与所述熔融液之间变得无电流流动的位置，来检出所述半导体单晶的最下端，所述半导体单晶的再熔融方法的特征在于，具有：卷绕下降所述单晶提拉装置的所述绳线，使所述半导体单晶的下端部浸没在所述熔融液中，使该下端部再熔融的结晶浸没工序；使用所述再熔融检出装置，根据所述半导体单晶的重量变化，来检出浸没在所述熔融液中的所述半导体单晶的下端部的熔融已经完成的再熔融检出工序；一边在所述半导体单晶与所述熔融液之间施加电压一边用所述绳线卷绕提起所述半导体单晶，使用所述最下端检出装置，根据所述半导体单晶与所述熔融液之间变得无电流流动的位置，来检出所述半导体单晶的最下端的最下端检出工序；在最下端检出工序结束后，决定是再次开始结晶浸没工序，还是结束再熔融的判断工序。