[发明专利]使用高效混合式水平反应器的多晶硅制造装置和方法有效
申请号: | 201580049718.2 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN107074561B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 张银洙;金庾锡;金正奎;柳振炯;李正雨 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035;C01B33/03 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 张宁;许向彤 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明,提供一种多晶硅制造装置,其包括:水平反应管,具有源气体供应口、残余气体排出口、反应表面和开口,通过所述源气体供应口供应包括反应气体和还原气体的源气体,反应表面与源气体接触,开口形成在所述水平反应管的底部,用于将通过所述源气体的反应产生的熔融多晶硅排出;以及第一加热设备,用于加热所述水平反应管的所述反应表面,其中,所述水平反应管包括一个或多个反应区域,各个反应区域具有用于沉积多晶硅的第一反应区域和用于将反应副产物转化为所述反应气体的第二反应区域,所述第一反应区域与所述第二反应区域串联连接。此外,还提供了一种使用所述多晶硅制造装置的多晶硅制造方法。 | ||
搜索关键词: | 使用 高效 混合式 水平 反应器 多晶 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅生产装置,包括:水平反应管,所述水平反应管位于绝缘管中并具有入口、出口、反应表面和底部开口,通过所述入口供应包括反应气体和还原气体的气态原料,残余气体通过所述出口放出,所述气态原料与所述反应表面接触,通过所述气态原料的反应而产生的熔融多晶硅通过所述底部开口排出;以及第一加热设备,所述第一加热设备适于加热所述水平反应管的所述反应表面,其中,所述水平反应管包括由第一反应区域和第二反应区域组成的反应区域,在所述第一反应区域中沉积多晶硅,在所述第二反应区域中将反应副产物转化为所述反应气体,所述第一反应区域与所述第二反应区域串联连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG化学,未经株式会社LG化学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580049718.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高频光脉冲电能计量检测装置
- 下一篇:三相仿真载波智能表