[发明专利]用于GaN电路负载的GaN电路驱动器有效
| 申请号： | 201580049750.0 | 申请日： | 2015-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN107005163B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | D·M·金泽;S·莎玛;J·J·张 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158;H03K17/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种电子电路。电子电路包括具有GaN的衬底，以及形成在衬底上并包括第一控制栅极和第一源极的功率开关。电子电路还包括形成在衬底上并包括耦接到第一控制栅极的输出的驱动电路，以及具有电源电压并耦接到驱动电路的电源，其中输出可以被驱动到电源电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 电路 负载 驱动器 | ||
【主权项】：
1.一种电子电路，包括：包括GaN的衬底；功率开关，形成在所述衬底上并包括第一控制栅极和第一源极；以及驱动电路，形成在所述衬底上并包括：多个晶体管，其中所述驱动电路的所有晶体管是相同的导电类型，耦接到所述第一控制栅极的输出，以及电源，具有电源电压并耦接到所述驱动电路，其中所述驱动电路的输出能够被驱动到所述电源电压。
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