[发明专利]对多层膜进行蚀刻的方法

摘要

一实施方式的方法包括如下工序：(a)利用在处理容器内产生的等离子体，对上部磁性层进行蚀刻的工序，使上部磁性层的蚀刻在绝缘层的表面结束；(b)利用在处理容器内产生的等离子体，将由于上部磁性层的蚀刻而在掩模以及上部磁性层的表面形成的堆积物去除的工序；(c)利用在处理容器内产生的等离子体，对绝缘层进行蚀刻的工序。在将堆积物去除的工序中，使保持着被处理体的支承构造体倾斜且旋转，将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。

主权项

一种方法，其是使用等离子体处理装置来对被处理体的多层膜进行蚀刻的方法，其中，所述被处理体具有：基底层；下部磁性层，其设置于该基底层上；绝缘层，其设置于该下部磁性层上；上部磁性层，其设置于该绝缘层上；以及掩模，其设置于所述上部磁性层上，所述等离子体处理装置具备：处理容器；气体供给系统，其向该处理容器内供给气体；等离子体生成用的高频电源；以及支承构造体，其支承被处理体，该方法包括如下工序：利用在所述处理容器内产生的等离子体，对所述上部磁性层进行蚀刻的工序，使该上部磁性层的蚀刻在所述绝缘层的表面结束；利用在所述处理容器内产生的等离子体，将由于所述上部磁性层的蚀刻而在所述掩模以及所述上部磁性层的表面形成的堆积物去除的工序；利用在所述处理容器内产生的等离子体，对所述绝缘层进行蚀刻的工序，在将所述堆积物去除的所述工序中，使保持着所述被处理体的所述支承构造体倾斜且旋转，将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于所述支承构造体。