[发明专利]半导体装置

摘要

提供能够在末端附近的部件单元中的pn二极管动作之前使在芯片整体中流过的电流值增大并实现芯片尺寸缩小和基于此的芯片成本降低的半导体装置。具备：第二阱区域(31)，在俯视时夹着多个第一阱区域(30)整体而形成；第二欧姆电极(70)，设置在第二阱区域上；第一导电类型的第三相离区域(23)，在第二阱区域内的比第二欧姆电极更接近第一阱区域的位置处，从第二阱区域表面层沿深度方向贯通而形成；以及第二肖特基电极(75)，设置在第三相离区域上。

主权项

1.一种半导体装置，具备：第一导电类型的漂移层，形成在第一导电类型的半导体基板上；第二导电类型的第一阱区域，在所述漂移层表面层相互相离地设置有多个；第二导电类型的第二阱区域，在所述漂移层表面层在俯视时夹着多个所述第一阱区域整体而形成，所述第二阱区域的形成面积比各所述第一阱区域宽；第一导电类型的第一相离区域，在各所述第一阱区域内，从各所述第一阱区域表面层沿深度方向贯通而形成；第一导电类型的源极区域，在各所述第一阱区域表面层在俯视时夹着所述第一相离区域而形成；第一肖特基电极，设置在所述第一相离区域上；第一欧姆电极，与各所述第一阱区域和各所述源极区域接触，并设置在各所述第一阱区域上和各所述源极区域上；第一导电类型的第二相离区域，是使各所述第一阱区域相互相离的区域；第二欧姆电极，设置在所述第二阱区域上；第一导电类型的第三相离区域，在所述第二阱区域内的比所述第二欧姆电极更接近第一阱区域的位置处，从所述第二阱区域表面层沿深度方向贯通而形成；第二肖特基电极，设置在所述第三相离区域上；栅极电极，在除了设置有所述第一及第二肖特基电极和所述第一及第二欧姆电极的位置以外的所述第一及第二阱区域上的一部分，隔着第一绝缘膜而设置；第二绝缘膜，形成为覆盖所述栅极电极；以及源极电极，设置成覆盖所述第一及第二肖特基电极、所述第一及第二欧姆电极以及所述第二绝缘膜。