[发明专利]基于用于有效自旋转移矩的增强自旋霍尔效应的电路和装置有效
| 申请号： | 201580049979.4 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN107004440B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·A·比尔曼;阮敏海;白奇峰;丹尼尔·C·拉尔夫 | 申请（专利权）人： | 康奈尔大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L21/02;H01L29/82 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过使用联接到用于各种应用的磁性自由层的自旋霍尔效应(SHE)金属层公开了基于自旋力矩传递(STT)和自旋霍尔效应的装置或电路。基于SHE和STT的这种组合的STT效应的效率或强度可以通过SHE金属层与磁性自由层之间的界面改性增强或通过使SHE金属掺杂有某些杂质来改性或改造SHE金属层或者通过其他手段来增强。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 用于 有效 自旋 转移 增强 霍尔 效应 电路 装置 | ||
【主权项】：
一种基于自旋霍尔效应(SHE)和自旋转移矩(STT)效应的装置，包括：磁性结构，包括铁磁层，所述铁磁层具有可以通过自旋转移矩改变的磁化方向；SHE层，所述SHE层是导电的并且表现出自旋霍尔效应，以响应于所施加的充电电流而产生垂直于所述施加的充电电流的自旋极化电流，所述SHE层邻近所述铁磁层定位，以将所述自旋极化电流注入所述铁磁层中；以及金属插入层，与所述铁磁层和所述SHE层接触并位于所述铁磁层与所述SHE层之间，由所述SHE层产生的所述自旋极化电流通过所述金属插入层进入所述铁磁层，所述金属插入层的厚度小于所述SHE层的自旋扩散长度，并且表现出比所述SHE层的电阻率大的电阻率，以增强通过所述自旋转移矩效应引起的所述铁磁层的所述磁化方向的切换。
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