[发明专利]熔线元件、熔断器件、和发热体内置式熔断器件有效
| 申请号： | 201580050034.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106688073B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 米田吉弘 | 申请（专利权）人： | 迪睿合株式会社 |
| 主分类号： | H01H85/10 | 分类号： | H01H85/10;H01H85/11 |
| 代理公司： | 北京挚诚信奉知识产权代理有限公司 11338 | 代理人： | 邢悦;王永辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供即使对于实现了小型化的熔断器件，其快速熔断性和熔断后的绝缘性也优异的熔断器件和熔线元件。熔线元件(5)为，构成熔断器件(1)的通电路径、通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件(5)，相比于通电方向的全长L，与通电方向正交的宽度方向的长度W更大。尤其是，熔线元件(5)具有低熔点金属层(5a)和在低熔点金属层(5a)的上下的高熔点金属层(5b)，低熔点金属层(5a)在通电时侵蚀高熔点金属层(5b)从而熔断。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 熔断 器件 发热 体内 | ||
【主权项】：
1.一种熔线元件，其构成熔断器件的通电路径并通过流过超过额定电流的电流而自身发热从而熔断，具有低熔点金属层和在所述低熔点金属层上层叠的高熔点金属层，所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上，所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上，与通电方向的全长相比，与通电方向正交的宽度方向上的长度更大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迪睿合株式会社，未经迪睿合株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580050034.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：继电器
- 下一篇：用于高压应用的熔断器
