[发明专利]晶片载体结构及其制备方法和该结构在晶片加工中的用途有效
申请号: | 201580050238.8 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN106688089B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | P·洛伦茨 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 汪勤;吴鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及晶片‑载体‑结构,包括晶片(1)、载体系统(7、4、5)和连接层(3),所述载体系统(7、4、5)包括载体(7)和弹性体层(4、5),其中连接层为溶胶凝胶层。本发明还涉及用于根据本发明的晶片‑载体‑结构的覆层晶片,其中使用溶胶凝胶层作为相应晶片‑载体‑结构的连接层,本发明还涉及用于加工晶片背面的方法。 | ||
搜索关键词: | 晶片 载体 结构 及其 制备 方法 加工 中的 用途 | ||
【主权项】:
1.一种晶片‑载体‑结构,包括:‑晶片,‑载体系统,该载体系统包括载体和弹性体层,其中,弹性体层面对晶片,和‑连接层,其中,该连接层为能由单体(1)Si(OR1)4和如下一种、两种或全部单体(2)Si(OR1)3R2、(3)Si(OR1)2R3R4和(4)Si(OR1)R5R6R7制得的溶胶凝胶层,其中,每个R1彼此独立地表示H或C1‑C8烷基,R2、R3、R4、R5、R6和R7各自彼此独立地表示C1‑C20烷基,氟化C1‑C20烷基,C1‑C20氨基烷基、C2‑C20烯基,芳基,氟化芳基,单、二或三C1‑C4烷基化芳基,其中,烷基化的碳原子数彼此独立和/或其中所述基团也可以是氟化的,或者表示C3‑C20环氧基团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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