[发明专利]利用铁电电容器的CMOS模拟存储器有效
| 申请号： | 201580050633.6 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN106716539B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 小约瑟夫·T·埃文斯 | 申请（专利权）人： | 拉迪安特技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陆建萍;郑霞 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种存储器单元以及由这种存储器单元构造的存储器。根据本发明的存储器包括铁电电容器、电荷源和读取电路。所述电荷源接收要存储在所述铁电电容器中的数据值。所述电荷源将所述数据值转换成要存储在所述铁电电容器中的剩余电荷并且使此剩余电荷存储在所述铁电电容器中。所述读取电路确定存储在所述铁电电容器中的电荷。所述数据值具有多于三个不同的可能状态，并且所述所确定的电荷具有多于三个确定值。所述存储器还包括复位电路，所述复位电路使所述铁电电容器进入预定的已知参考极化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电容器 cmos 模拟 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器单元，包括：铁电电容器；以及电路，所述电路具有连接在第一开关端子与第二开关端子之间的第一电流路径和第二电流路径，所述铁电电容器串联连接在所述第一电流路径中，从而使得与进入所述第一开关端子的电流的固定部分相等的电流基本上独立于所述电流而进入到所述铁电电容器中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于拉迪安特技术公司，未经拉迪安特技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580050633.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
