[发明专利]用于在硅锗FinFET中形成源极‑漏极结的方法和相应的FinFET装置在审
| 申请号： | 201580050695.7 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN106796954A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | V·马赫卡奥特桑;J·J·徐;S·S·宋;M·巴达罗格鲁;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 李小芳,袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 块状硅(Si)的一部分被形成为鳍，该鳍具有鳍基和在该鳍基上的制程中鳍。该鳍基是掺杂Si且该制程中鳍是硅锗(SiGe)。该制程中SiGe鳍具有源极区和漏极区。硼被就地掺杂到该漏极区和该源极区中。可任选地，通过以下操作来就地掺杂硼在该漏极区和该源极区上形成具有硼的外延层，以及进行推进式退火以使硼在该源极区和该漏极区中扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 形成 漏极结 方法 相应 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在块状硅(Si)上制造FinFET的方法，包括：形成鳍堆叠，其中所述形成鳍堆叠是在块状Si的一部分中执行的，其中所述鳍堆叠是以鳍基以及在所述鳍基上形成硅锗(SiGe)制程中鳍来形成的；以及就地硼掺杂所述SiGe制程中鳍的区域。
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