[发明专利]混合式异质结构发光装置有效
| 申请号： | 201580050773.3 | 申请日： | 2015-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN106688111B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | Z·马;J-H·徐 | 申请（专利权）人： | 威斯康星州男校友研究基金会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 美国威*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供具有多量子阱(MQW)pin二极管结构的发光装置以及制作和使用该装置的方法。该装置由多层半导体异质结构构成。该装置包括材料的一个或多个界面层，该材料允许电流隧穿通过在本征活性区与p‑型和/或n‑型掺杂的电荷注入层之间界面处的晶格失配的异质结。 | ||
| 搜索关键词： | 混合式 结构 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，其包含：包含单晶p‑型掺杂的硅的空穴注入层；包含单晶n‑型掺杂的半导体材料的电子注入层；设置在该空穴注入层和该电子注入层之间的包含本征第三族‑氮化物半导体材料的发光活性区，该发光活性区包含含有交替的势垒层和量子阱层的多量子阱结构；和设置在该空穴注入层和该发光活性区之间并且与二者接触的电流隧穿层，该电流隧穿层包含具有比与其接触的本征第三族‑氮化物半导体材料和p‑型掺杂的硅的带隙更宽的带隙的无机材料；其中该电流隧穿层与p‑型掺杂的硅之间的界面和该电流隧穿层与该本征第三族‑氮化物半导体材料之间的界面不具有外延结构。
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