[发明专利]静电吸盘装置有效
| 申请号： | 201580051119.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106716619B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 河野仁;高桥健太郎;牛坊文洋 | 申请（专利权）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 方应星;高培培 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够增大聚焦环的静电吸附力并能够均匀地对聚焦环进行冷却的静电吸盘装置。在本发明的静电吸盘装置(10)中，载置台(11)具有在载置面(24a)的周围沿着聚焦环(12)的周向设置并对聚焦环(12)进行静电吸附的保持部(15)，保持部(15)具有沿着周向设置并载置聚焦环(12)的一对堤部(16)和形成在它们之间的环状的槽部(17)，在一对堤部(16)中的至少位于聚焦环(12)的外周侧的堤部(16A)上，在与聚焦环(12)相对的面上形成包含多个微小突起的微小突起部，或者在槽部(17)的底面(17a)设置凸部(18)。凸部(18)不与聚焦环接触，一对堤部(16)或多个微小突起与聚焦环(12)接触，与凸部(18)协作而对聚焦环(12)进行静电吸附。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 装置 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘装置，其特征在于，具备：载置台，设有载置板状试样的载置面；环状的聚焦环，配置在所述载置台上，将所述载置面的周围包围；及冷却单元，对所述载置台及所述聚焦环进行冷却，所述载置台具有保持部，所述保持部在所述载置面的周围沿着所述聚焦环的周向设置并对所述聚焦环进行静电吸附，所述保持部具有：一对堤部，沿着所述周向设置并载置所述聚焦环；及环状的槽部，形成在所述一对堤部之间，所述冷却单元向所述槽部供给传热气体，在所述槽部的底面设有凸部，所述一对堤部与所述聚焦环接触，所述凸部与所述聚焦环不接触，所述一对堤部与所述凸部协作而对所述聚焦环进行静电吸附。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友大阪水泥股份有限公司，未经住友大阪水泥股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580051119.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种报文处理方法及装置
- 下一篇：一种多媒体文件分享处理方法、装置及终端
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
