[发明专利]硅集成的平面外热通量热电发电机

摘要

增强的电场利用在基板晶片(1)上的平面外热通量构造的集成热电发电机(iTEG)实现，其中基板晶片(1)具有连接多晶半导体片段的限定薄膜线的交替p‑掺杂和n‑掺杂的片段(4，5)的并置端的山顶接头金属触点(7)和谷底接头金属触点(6)，其在具有比所述热电活性多晶半导体的热导率低的热导率的材料的山丘(3)的倾斜相对侧翼上延伸，通过使山丘(3)当中的谷空间(V)保持为空的并且由平面不导电覆盖物(8)限定在顶部，具有限定在耦合表面上的金属键合焊盘(10)，适于与相应的山顶接头金属触点(7)键合。接头金属触点(6，7)具有低纵横比的横截面轮廓，其中两个臂或翼与片段的并置端部分重叠。优选地，内部空隙在包装iTEG时被抽空。

主权项

1.一种平面外热通量构造的集成热电发电机，包括：基板晶片(1)，沉积在所述基板晶片(1)上形成山丘(3)和谷的单一材料的层，所述山丘和谷均由所述单一材料组成，完全限定在由所述单一材料组成的所述层的所述山丘(3)的倾斜相对侧翼上并在所述倾斜相对侧翼上延伸的多晶半导体的交替p‑掺杂和n‑掺杂的片段(4，5)的薄膜线；所述材料的热导率低于所述多晶半导体的热导率，沉积在所述多晶半导体片段的所述薄膜线的交替p‑掺杂和n‑掺杂的片段(4，5)的并置端上并连接所述并置端的山顶接头金属触点(7)和谷底接头金属触点(6)，其特征在于，所述山丘(3)之间的所有所述谷都是从上方由平面不导电覆盖物(8)限定的空隙空间(V)，具有限定在所述平面不导电覆盖物(8)的耦合表面上，与相应的所述山顶接头金属触点(7)键合的金属键合焊盘(10)，其中组成所述层的所有所述山丘(3)和谷的所述单一材料选自由氧化硅、氮化硅、增强的抗热传导的沉积氧化物和纳米级薄膜硅的超晶格组成的组，其中所述山顶接头金属触点(7)具有其中两个臂或翼分别与所述多晶半导体片段的所述薄膜线的p‑掺杂和n‑掺杂片段(4，5)的并置端部分重叠的横截面轮廓。