[发明专利]具有非晶态金属层的金属栅在审
| 申请号： | 201580051216.3 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN106716624A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;Z·王;K·里姆;S·S·宋;C·F·叶 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 邬少俊,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种特定的半导体器件包括衬底、源极触点、漏极触点和金属栅极。所述衬底包括源极区、漏极区和沟道。所述源极触点耦合到所述源极区。所述漏极触点耦合到所述漏极区。所述金属栅极耦合到所述沟道。所述金属栅极包括非晶态金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶态 金属 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括源极区、漏极区和沟道；耦合到所述源极区的源极触点；耦合到所述漏极区的漏极触点；以及耦合到所述沟道的金属栅极，所述金属栅极包括非晶态金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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