[发明专利]碳化硅半导体装置

摘要

一种碳化硅半导体装置(1)，其具有碳化硅基板(10)、栅绝缘膜(15)、栅电极(27)和层间绝缘膜(2)。碳化硅基板(10)具有主面(10a)。栅绝缘膜(15)设置在碳化硅基板(10)的主面(10a)上。栅电极(27)设置在栅绝缘膜(15)上。以覆盖栅电极(27)的方式设置层间绝缘膜(2)。层间绝缘膜(2)包含：第一绝缘膜(2a)，其与栅电极(27)接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子；第二绝缘膜(2b)，其设置在第一绝缘膜(2a)上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种；和第三绝缘膜(2c)，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子。第二绝缘膜(2b)具有与第一绝缘膜(2a)接触的第一面(2b1)、第一面(2b1)相反侧的第二面(2b2)、以及连接第一面(2b1)和第二面(2b2)的第三面(2b3)。第三绝缘膜(2c)与第二面(2b2)和第三面(2b3)中的至少一者接触。

主权项

一种碳化硅半导体装置，其包含：具有主面的碳化硅基板；设置在所述碳化硅基板的所述主面上的栅绝缘膜；设置在所述栅绝缘膜上的栅电极；和以覆盖所述栅电极的方式设置的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包含：第一绝缘膜，其与所述栅电极接触、含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子，第二绝缘膜，其设置在所述第一绝缘膜上并且含有硅原子以及磷原子和硼原子中的至少一种，和第三绝缘膜，其含有硅原子并且既不含磷原子也不含硼原子，所述第二绝缘膜具有与所述第一绝缘膜接触的第一面、所述第一面相反侧的第二面、以及连接所述第一面和所述第二面的第三面，所述第三绝缘膜与所述第二面和所述第三面中的至少一者接触。