[发明专利]允许杂质稀释的穿过堰体的通路的设计方法有效
| 申请号： | 201580051664.3 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106715764B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | T·N·斯瓦米纳坦;H·W·科布 | 申请（专利权）人： | 各星有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B15/12;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 秘凤华;吴鹏 |
| 地址： | 中国香港九龙柯士*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于在晶体生长系统中从熔体生长晶锭的方法。该系统包括坩埚和设置在坩埚内的屏障。该方法包括：确定平流输送率小于扩散输送率的佩克莱特数(Pe)；基于所确定的佩克莱特数计算要形成在屏障中的通路的截面积，以允许杂质在晶锭的生长期间通过所述通路向外扩散；以及使用其中形成有所述通路的屏障生长晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 允许 杂质 稀释 穿过 通路 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在晶体生长系统中从熔体生长晶锭的方法，所述系统包括坩埚和设置在所述坩埚内的屏障，所述方法包括：确定平流输送率小于扩散输送率的佩克莱特数(Pe)；基于所确定的佩克莱特数计算要形成在所述屏障中的通路的截面积，以允许杂质在晶锭的生长期间通过所述通路向外扩散，其中，计算所述通路的截面积(l2)的步骤是基于所述熔体的密度(ρm)、添加到所述熔体的固体原料的密度(ρc)、所述屏障的厚度(L)、所述熔体的有效扩散率(Deff)、从所述熔体生长的晶锭的半径(Rc)和晶锭的垂直凝固率(s)，其中，利用下式计算所述通路的截面积(l2)：![]()
和使用具有形成在其中的通路的所述屏障生长晶锭。
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