[发明专利]垂直腔表面发射激光器有效
| 申请号： | 201580051823.X | 申请日： | 2015-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN106797107B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | P.H.格拉奇;R.A.贾格 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 景军平;陈岚 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明描述了一种垂直腔表面发射激光器和一种制造这种垂直腔表面发射激光器的方法。该垂直腔表面发射激光器包括第一电触点（105,405,505,605,705）、衬底（110,410,610,710）、第一分布式布拉格反射器（115,415,615,715）、有源层（120,420,620,720）、分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）、第二分布式布拉格反射器（130,430,630,730）和第二电触点（135,435,535,635,735），分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）包括集电极层（125a）、光敏层（125c）、基极层（125e）和发射极层（125f），其中所述分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）被布置为使得在有源层（120,420,620,720）和分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）之间存在光学耦合，以用于借助于分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）提供有源载流子限制，使得垂直腔表面发射激光器的光学模式在垂直腔表面发射激光器的操作期间是根据有源载流子限制而自定位的。本发明的意图是提供一种VCSEL，其可以通过集成分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）而容易且可靠地进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 表面 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔表面发射激光器，包括第一电触点（105,405,505,605,705）、衬底（110,410,610,710）、第一分布式布拉格反射器（115,415,615,715）、有源层（120,420,620,720）、分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）、第二分布式布拉格反射器（130,430,630,730）和第二电触点（135,435,535,635,735），所述分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）包括集电极层（125a）、光敏层（125c）、基极层（125e）和发射极层（125f），其中所述分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）被布置为使得在所述有源层（120,420,620,720）和所述分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）之间存在光学耦合，以用于借助于所述分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）提供有源载流子限制，使得所述垂直腔表面发射激光器的光学模式在所述垂直腔表面发射激光器的操作期间是根据所述有源载流子限制而自定位的，其中所述集电极层（125a）、所述基极层（125e）和所述发射极层（125f）中的掺杂剂的浓度小于1019 cm‑3，并且其中从所述基极层（125e）到发射极层（125f）的电子电流与从所述分布式异质结双极光电晶体管（125）的发射极层（125f）到集电极层（125a）的空穴电流之间的比率至少为100。
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