[发明专利]用于单晶超合金和金属的直写的装置和方法有效
申请号: | 201580052187.2 | 申请日: | 2015-08-24 |
公开(公告)号: | CN106715036B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 乔蒂尔莫伊·马宗德尔;崔廷榕 | 申请(专利权)人: | 密执安州立大学董事会 |
主分类号: | B23K26/342 | 分类号: | B23K26/342;B23K26/354;B23K26/40;B23K26/08;B23K26/03 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李春晖;李德山 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于单晶超合金和金属的直写的方法和装置。方法包括:将衬底加热到低于其熔点的预定温度;使用激光在衬底的表面上形成熔融池,其中,衬底被设置在基板上,以及其中,激光和基板能够相对彼此移动,激光用于直接金属沉积;将超合金粉末引入到所述熔融池;以及控制熔融池的温度以在熔融池的固体和液体界面上保持预定的热梯度,以便于在衬底上形成单晶沉积。装置被配置为总体上实现上述的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 超合金 金属 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于单晶合金的直写的方法,所述方法包括:/n使用热源将衬底加热到低于其熔点的预定温度;/n使用与所述热源分离的激光在所述衬底的表面上形成熔融池,其中,所述衬底设置在基板上,以及其中,所述激光和所述基板能够相对彼此移动,所述激光用于直接金属沉积;/n将超合金粉末引入到所述熔融池;以及/n使用所述热源和所述激光控制所述衬底和所述熔融池的温度以在所述熔融池的固体与液体界面处保持预定的热梯度,以便于在所述衬底上形成单晶沉积。/n
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