[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580052278.6 | 申请日： | 2015-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107078160B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 八田英之;三浦成久 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MOSFET的源极区域(12)包括与源电极(41)连接的源极接触区域(12a)、与阱区域(20)的沟道区域邻接的源极伸展区域(12b)、以及在源极伸展区域(12b)与源极接触区域(12a)之间配设了的源极电阻控制区域(15)。源极电阻控制区域(15)包括杂质浓度比源极接触区域(12a)或者源极伸展区域(12b)低的低浓度源极电阻控制区域(15a)、和形成于阱区域(20)与低浓度源极电阻控制区域(15a)之间且杂质浓度比低浓度源极电阻控制区域(15a)高的高浓度源极电阻控制区域(15b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板上；第2导电类型的阱区域，在所述漂移层的表层部选择性地形成；第1导电类型的源极区域，形成于所述阱区域内的表层部；作为所述漂移层的部分的JFET区域，与所述阱区域邻接；作为所述阱区域的部分的沟道区域，被所述源极区域和所述JFET区域夹住；栅电极，在所述漂移层上隔着栅极绝缘膜配设，跨越所述源极区域、所述沟道区域及所述JFET区域而延伸；源电极，与所述源极区域连接；以及漏电极，形成于所述半导体基板的背面，所述源极区域包括：源极接触区域，形成于所述阱区域内的表层部，与所述源电极连接；源极伸展区域，形成于所述阱区域内的表层部，与所述沟道区域邻接；以及源极电阻控制区域，配设于所述源极伸展区域与所述源极接触区域之间，所述源极电阻控制区域包括：低浓度源极电阻控制区域，第1导电类型的杂质浓度低于所述源极伸展区域或者所述源极接触区域；以及高浓度源极电阻控制区域，形成于所述阱区域与所述低浓度源极电阻控制区域之间，第1导电类型的杂质浓度高于所述低浓度源极电阻控制区域。
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