[发明专利]扇出型晶圆级封装件的三维集成有效
| 申请号： | 201580052545.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106716613B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 翟军;胡坤忠;F·P·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/522;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了扇出型晶圆级封装件(FOWLP)和形成方法。在实施方案中，封装件包括第一布线层、位于第一布线层的顶侧上的第一管芯、和封装位于第一布线层上的第一管芯的第一模塑化合物。第一多个导电柱从第一布线层的底侧延伸。第二管芯位于第二布线层的顶侧上，并且第一多个导电柱位于布线层的顶侧上。第二模塑化合物封装第一模塑化合物、第一布线层、第一多个导电柱和位于第二布线层上的第二管芯。在实施方案中，多个导电凸块(例如焊球)从第二布线层的底侧延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型晶圆级 封装 三维 集成 | ||
【主权项】：
一种封装件，包括：第一布线层；第一管芯，所述第一管芯位于所述第一布线层的顶侧上；第一模塑化合物，所述第一模塑化合物封装位于所述第一布线层上的所述第一管芯；第一多个导电柱，所述第一多个导电柱从所述第一布线层的底侧延伸；第二布线层，其中所述第一多个导电柱位于所述第二布线层的顶侧上；第二管芯，所述第二管芯位于所述第二布线层的顶侧上；和第二模塑化合物，所述第二模塑化合物封装所述第一模塑化合物、所述第一布线层、所述第一多个导电柱和位于所述第二布线层上的所述第二管芯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苹果公司，未经苹果公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580052545.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
