[发明专利]10T非易失性静态随机存取存储器有效
| 申请号： | 201580052647.1 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN106716551B | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·S·坦丁根;大卫·斯蒂尔;杰西·J·希曼;贾亚特·阿肖克库马尔 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人： | 张瑞,郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种包括nvSRAM单元的阵列的存储器及其操作方法。每个nvSRAM单元包括易失性电荷存储电路和非易失性电荷存储电路，该非易失性电荷存储电路包括确切地一个非易失性存储器(NVM)元件、耦合至NVM元件的第一晶体管、耦合至NVM元件的第二晶体管以及第三晶体管，数据真值通过第一晶体管耦合至易失性电荷存储电路，数据补码通过第二晶体管耦合至易失性电荷存储电路，NVM元件通过第三晶体管耦合至正电压电源线(VCCT)。在一个实施方式中，第一晶体管耦合至NVM元件的第一节点，第二晶体管耦合至NVM元件的第二节点以及第三晶体管耦合在第一节点和VCCT之间。还公开了其它实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 10 非易失性 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)单元的阵列，每个非易失性静态随机存取存储器单元包括：易失性电荷存储电路；非易失性电荷存储电路，所述非易失性电荷存储电路包括一个非易失性存储器(NVM)元件、耦合至所述非易失性存储器元件的第一晶体管、耦合至所述非易失性存储器元件的第二晶体管以及第三晶体管，数据通过所述第一晶体管耦合至所述易失性电荷存储电路，所述数据的补码通过所述第二晶体管耦合至所述易失性电荷存储电路，所述非易失性存储器元件通过所述第三晶体管耦合至正电压电源线(VCCT)；以及处理元件，所述处理元件向所述非易失性静态随机存取存储器单元中的每个发出控制信号以执行存储操作和召回操作，其中所述处理元件被配置为发出用于所述存储操作的控制信号，所述控制信号包括用于正常编程的控制信号，在所述正常编程中，所述第一晶体管被接通，所述第二晶体管保持断开，所述第三晶体管被断开，且多个程序脉冲被施加到所述非易失性存储器元件的栅极节点以减轻动态写禁止(DWI)的影响。
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