[发明专利]化合物半导体及其制备方法有效
| 申请号： | 201580052778.X | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106796980B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李载骑;金兑训;朴哲熙 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;H01L35/34;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： |
公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：<化学式1>M1aCo4Sb12‑xM2x，其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中，并且0≤a≤1.8且0 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体，由以下化学式1表示：化学式1M1aCo4Sb12‑xM2x其中M1和M2分别为选自In和稀土金属元素中的至少之一，0≤a≤1.8且0
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