[发明专利]具有三维半导体元件的光电设备有效
| 申请号： | 201580053007.2 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107078186B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 伊万-克里斯多夫·罗宾;阿梅莉·迪赛涅;居伊·弗耶;史蒂芬妮·戈日兰 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会;艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/18;H01L33/22;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;任庆威 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及光电设备(30)，包括三维半导体元件(20)，其主要由从包括化合物III‑V、化合物II‑VI和化合物IV的组中选择的第一化合物制成。每个半导体元件可选地利用部分地覆盖所述半导体元件的绝缘部分对包括相对于彼此呈一定角度的邻接面的至少一个第一表面(34)定界。光电设备包括在各面之间的缝中的至少一些处的量子点(60)。量子点主要由第一化合物和额外元素的混合物制成并且适合于发射或接收在第一波长的第一电磁辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 三维 半导体 元件 光电 设备 | ||
【主权项】：
1.一种光电设备(30)，包括：三维半导体元件(20；152)，其主要由从包括III‑V化合物、II‑VI化合物和IV化合物的组中选择的第一化合物制成，每个半导体元件单独地或利用绝缘部分对至少第一表面(34)定界，所述绝缘部分部分地覆盖所述半导体元件，所述至少第一表面(34)包括相对于彼此呈一定角度的邻接面，所述光电设备包括在各面之间的缝(42)中的至少一些处的量子点(60)，所述量子点主要由所述第一化合物和额外元素的混合物制成并且能够发射或接收在第一波长的第一电磁辐射；还包括有源层(62；76)，其包括至少单个量子阱或多个量子阱并且能够发射或接收在与所述第一波长不同的第二波长的第二电磁辐射；其中，所述有源层(62)覆盖所述量子点(60)。
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