[发明专利]用于在磁性设备中写入的方法有效
| 申请号： | 201580053109.4 | 申请日： | 2015-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN107112046B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | Y.康瑙斯 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;刘春元 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于使用单个编程电流来对磁性设备进行编程的方法，该磁性设备包括多个磁性逻辑部件MLU单元，每个MLU单元都包括具有存储磁化的存储磁性层，该存储磁化在低阈值温度处被钉扣并且在高阈值温度处可自由定向；以及编程线，其与所述多个MLU单元中的每一个物理地分离，并且被配置用于传递编程电流脉冲以对所述多个MLU单元中的任一个进行编程；该方法包括：在场线中传递编程电流以用于将所述多个MLU单元中的每一个的磁性隧道结加热到处于高阈值温度以便不钉扣第二磁化；其中编程电流被进一步适配用于生成编程磁场，其被适配用于在编程方向上切换所述多个MLU单元中的每一个的存储磁化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 磁性 设备 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种用于使用单个编程电流来对磁性设备（100）进行编程的方法，该磁性设备（100）包括多个磁性逻辑部件（MLU）单元（1）；每个都包括磁性隧道结（2），该磁性隧道结（2）包括：具有存储磁化（231）的铁磁性存储层（23），该存储磁化（231）在低阈值温度（TL）处被钉扣并且在高阈值温度（TH）处可自由定向；具有感测磁化（211）的铁磁性感测层（21）；以及在存储层（23）和感测层（21）之间的隧道势垒层（22）；编程线（4），其通过非导电层（71）与所述多个MLU单元（1）中的每一个物理地分离使得没有电流能直接从编程线（4）传递到磁性隧道结（2），并且被配置用于传递编程电流脉冲（41）以用于对所述多个MLU单元（1）的子集（111）进行编程，该子集包括多于一个MLU单元（1）；该方法包括：在编程线（4）中传递编程电流（41）以用于将子集（111）中的所述MLU单元（1）的磁性隧道结（2）加热到处于高阈值温度（TH）以便不钉扣子集（111）中的MLU单元（1）中的每一个的铁磁性存储磁化（231）；其中编程电流（41）被进一步适配用于生成编程磁场（42），其被适配用于在编程方向上切换子集（111）中的每个MLU单元（1）的存储磁化（231）。
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