[发明专利]具有分布式栅极的功率晶体管有效
| 申请号： | 201580053363.4 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN106796930B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | D·M·金泽 | 申请（专利权）人： | 纳维达斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L27/06;H01L29/417;H01L29/778;H02M1/088;H02M1/096;H02M3/158;H03K17/687;H01L27/088;H01L29/20;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种电子电路。电子电路包括分布式功率开关。在一些实施例中，电子电路还包括分布式栅极驱动器、分布式栅极下拉装置、分布式二极管以及低电阻栅极和/或源极连接结构中的一个或多个。还公开了包括该电路的电子组件以及制造该电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分布式 栅极 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电子电路，包括：包括GaN的衬底；形成在所述衬底上的分布式功率开关，其中所述分布式功率开关包括多个子晶体管，并且其中每个子晶体管包括栅极、源极和漏极；以及形成在所述衬底上的分布式驱动电路，其中所述分布式驱动电路包括由多个子驱动器形成的分布式输出级，其中每个子驱动器包括输入和输出，并且其中每个子驱动器的输出连接到所述分布式功率开关的子晶体管的一个或多个对应的子晶体管的栅极。
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