[发明专利]利用增强源技术进行磷或砷离子植入

摘要

本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。

主权项

1.一种离子植入系统，其包括：离子植入机，其包括离子源室；及反应器，其经配置以接收气态磷或砷掺杂剂前驱物材料且由其形成气态多原子磷或气态多原子砷，其中所述反应器构成流通回路或与流通回路流体连通地耦合，所述流通回路经布置以将气态多原子磷或气态多原子砷递送到所述离子源室以在其中进行离子化从而形成用于植入于所述离子植入机中的衬底中的植入物质，其中所述反应器进一步经配置以接收掺杂剂前驱物材料，且分解前驱物材料以在所述反应器内以积累模式形成固体砷或固体磷，且在积累预定量的固体元素砷或磷之后接着使所述固体元素砷或磷蒸发，以产生呈多原子形式的气态砷或磷。