[发明专利]自参考MRAM单元以及包括该自参考MRAM单元的磁场传感器有效
| 申请号： | 201580053489.1 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN107076809B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | Q.斯泰纳 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G11C11/16 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠伟进;郑冀之<国际申请>=PCT/E |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及一种自参考MRAM单元，其包括具有固定参考磁化的参考层、具有自由感测磁化的感测层、隧道势垒、具有偏置磁化的偏置层和偏置反铁磁性层，当MRAM单元处于等于或低于偏置阈值温度的温度时该偏置反铁磁性层将偏置磁化钉扣在偏置方向上；该偏置磁化被布置用于感应偏置场，该偏置场被适配用于使感测磁化在与偏置方向相反的方向上偏置，使得在有外部磁场的情况下当外部磁场在基本上垂直于参考磁化的方向的方向上定向时，经过偏置的感测磁化线性地变化。本公开还涉及一种包括多个自参考MRAM单元的磁场传感器和一种用于对磁场传感器进行编程的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 mram 单元 以及 包括 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种自参考MRAM单元，包括：具有固定参考磁化的参考层，具有可在外部磁场中自由定向的感测磁化的感测层，以及包括在参考层和感测层之间的隧道势垒；/n其中/n该MRAM单元还包括：具有偏置磁化的偏置层，和偏置反铁磁性层，当MRAM单元处于等于或低于偏置阈值温度的温度时，该偏置反铁磁性层将偏置磁化钉扣在偏置方向上；/n并且其中/n该偏置磁化被布置用于感应偏置场，该偏置场被适配用于使感测磁化在与偏置方向相反的方向上偏置，使得在有外部磁场的情况下当外部磁场在基本上垂直于参考磁化的方向的方向上定向时，经过偏置的感测磁化线性地变化。/n
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