[发明专利]有机电子装置的光刻法图案化

摘要

一种制造OLED装置的方法包括在具有底部电极的第一阵列的装置基底上提供第一底切剥离结构。接着，在第一底切剥离结构上和在底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个有机EL介质层。通过用包含氟化溶剂的第一剥离剂处理来移除第一底切剥离结构和上覆的第一有机EL介质层以形成第一中间结构。使用第二底切剥离结构重复该过程以在底部电极的第二阵列上沉积一个或更多个第二有机EL介质层。在移除第二底切剥离结构之后，提供与第一有机EL介质层和第二有机EL介质层电接触的共用顶部电极。

主权项

1.一种制造OLED装置的方法，包括：a)提供具有底部电极的第一阵列和底部电极的第二阵列的装置基底；b)在所述装置基底上提供第一底切剥离结构，所述第一底切剥离结构具有与所述底部电极的第一阵列对应的开口的第一图案；c)在所述第一底切剥离结构上和在所述底部电极的第一阵列上沉积包括至少第一发光层的一个或更多个第一有机EL介质层；d)通过用包含氟化溶剂的第一剥离剂处理来移除所述第一底切剥离结构和上覆的第一有机EL介质层以形成第一中间结构；e)在所述第一中间结构上提供第二底切剥离结构，所述第二底切剥离结构具有与所述底部电极的第二阵列对应的开口的第二图案；f)在所述第二底切剥离结构上和在所述底部电极的第二阵列上沉积包括至少第二发光层的一个或更多个第二有机EL介质层；g)通过用包含氟化溶剂的第二剥离剂处理来移除所述第二底切剥离结构和上覆的第二有机EL介质层以形成第二中间结构；h)提供电接触所述第一有机EL介质层和所述第二有机EL介质层的共用顶部电极；其中，至少一个剥离结构为下面的层阻挡或者吸收形成所述至少一个剥离结构时使用的成像辐射的至少80％。