[发明专利]电子器件、光电子器件、器件装置和用于制造电子器件的方法有效
| 申请号： | 201580054044.5 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107112385B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | L.海贝格尔;M.施佩尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 光电子 器件 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造电子器件（10、110、120、210、310、410）的方法，该方法包括以下步骤：通过光刻工艺由光致抗蚀剂在载体（2）的顶侧（3）上形成牺牲结构（70、270、370、470）；在布置在所述载体（2）的所述顶侧（3）上的所述牺牲结构（70、270、370、470）周围和在电子半导体芯片（30、130、230、330、430）周围模制模制体（81、181、281、381、481），使得所述电子半导体芯片（30、130、230、330、430）的表面（35、235、335、435）至少部分地不被所述模制体（81、181、281、381、481）覆盖；使所述模制体（81、181、281、381、481）从所述载体（2）脱离；去除所述牺牲结构（70、270、370、470），其中去除所述牺牲结构（70、270、370、470）导致在所述模制体（81、181、281、381、481）中形成切口（82、282、382、482）。
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