[发明专利]双基极双向双极晶体管两个相对表面上的场板：器件、方法和系统

摘要

公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。

主权项

一种功率半导体器件,包括：第一和第二第一导电型发射极/集电极区域，分别位于具有第一和第二表面的第二导电型半导体晶片的第一和第二表面；第一和第二第二导电型基极接触区域，分别位于所述半导体晶片的所述第一和第二表面；第一和第二绝缘场板结构，分别位于所述半导体晶片的所述第一和第二表面；其中，所述场板结构是导电的，并垂直延伸，并与所述发射极/集电极区域横向邻接；其中，所述第一发射极/集电极区域的总体形状类似于具有侧边和端部的带状物，并在其两侧边及两端部处被所述第一绝缘场板结构横向环绕，并与所述第一绝缘场板结构电连接；其中，所述第二发射极/集电极区域的总体形状类似于具有侧边和端部的带状物，并在其两侧边及两端部处被所述第二绝缘场板结构横向环绕，并与所述第二绝缘场板结构电连接；由此不论施加何种极性的电压，均可提高击穿电压。